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MJW21194、MJW21194G、MJW21192对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJW21194 MJW21194G MJW21192

描述 16互补硅功率晶体管250 V , 200瓦 16 A COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 V, 200 WON SEMICONDUCTOR  MJW21194G  单晶体管 双极, 音频, NPN, 250 V, 4 MHz, 200 W, 2 A, 20 hFE功率晶体管互补硅 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

频率 - 4 MHz -

额定电压(DC) 250 V 250 V -150 V

额定电流 16.0 A 16.0 A -4.00 A

针脚数 - 3 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 200 W 200 W 125 W

击穿电压(集电极-发射极) 250 V 250 V 150 V

集电极最大允许电流 16A 16A 8A

最小电流放大倍数(hFE) 20 @8A, 5V 20 @8A, 5V 15 @4A, 2V

最大电流放大倍数(hFE) - 80 -

额定功率(Max) 200 W 200 W 125 W

直流电流增益(hFE) - 20 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃ 65 ℃

耗散功率(Max) - 200000 mW -

增益频宽积 4 MHz - 4 MHz

长度 16.26 mm 16.26 mm 16.26 mm

宽度 5.3 mm 5.3 mm 5.3 mm

高度 21.08 mm 21.08 mm 21.08 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

材质 - Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99