MJW21192中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -150 V
额定电流 -4.00 A
极性 NPN
耗散功率 125 W
增益频宽积 4 MHz
击穿电压集电极-发射极 150 V
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 15 @4A, 2V
额定功率Max 125 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.08 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MJW21192引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MJW21192
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJW21192 | ON Semiconductor 安森美 | 功率晶体管互补硅 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON | 搜索库存 |
替代型号MJW21192
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJW21192 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-247 NPN -150V -4A | 当前型号 | 功率晶体管互补硅 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON | 当前型号 |
| 型号： MJW21192G 品牌： 安森美 封装： TO-247 N-Channel -150V -4A | 类似代替 | 8.0 A功率晶体管互补硅150伏， 125瓦 8.0 A POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 150 V, 125 W | MJW21192和MJW21192G的区别 |
| 型号： MJW21194G 品牌： 安森美 封装： TO-247 NPN 250V 16A 200000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MJW21194G 单晶体管 双极, 音频, NPN, 250 V, 4 MHz, 200 W, 2 A, 20 hFE | MJW21192和MJW21194G的区别 |
| 型号： MJW21194 品牌： 安森美 封装： TO-247 NPN 250V 16A | 功能相似 | 16互补硅功率晶体管250 V ， 200瓦 16 A COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 V, 200 W | MJW21192和MJW21194的区别 |