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MJW21194

MJW21194

数据手册.pdf

16互补硅功率晶体管250 V ， 200瓦 16 A COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 V, 200 W

16 A COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 V, 200 W

MJW21193 PNP

NPN

The MJW21193 and MJW21194 utilize Perforated Emitter technology and are specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications.

•Total Harmonic Distortion Characterized

•High DC Current Gain −hFE= 20 Min @ IC= 8 Adc

•Excellent Gain Linearity

•High SOA: 2.25 A, 80 V, 1 Second

MJW21194中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 250 V

额定电流 16.0 A

极性 NPN

耗散功率 200 W

增益频宽积 4 MHz

击穿电压集电极-发射极 250 V

集电极最大允许电流 16A

最小电流放大倍数hFE 20 @8A, 5V

额定功率Max 200 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.08 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

MJW21194引脚图与封装图
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在线购买MJW21194
型号 制造商 描述 购买
MJW21194 ON Semiconductor 安森美 16互补硅功率晶体管250 V ， 200瓦 16 A COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 V, 200 W 搜索库存
替代型号MJW21194
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MJW21194

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： TO-247 NPN 250V 16A

当前型号

16互补硅功率晶体管250 V ， 200瓦 16 A COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 V, 200 W

当前型号

型号： MJW21194G

品牌： 安森美

封装： TO-247 NPN 250V 16A 200000mW

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ON SEMICONDUCTOR  MJW21194G  单晶体管 双极, 音频, NPN, 250 V, 4 MHz, 200 W, 2 A, 20 hFE

MJW21194和MJW21194G的区别

型号： MJW21192

品牌： 安森美

封装： TO-247 NPN -150V -4A

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功率晶体管互补硅 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON

MJW21194和MJW21192的区别