IPD50R380CEATMA1、IPD50R380CEAUMA1、IPD50R380CE对比区别

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型号 IPD50R380CEATMA1 IPD50R380CEAUMA1 IPD50R380CE

描述 Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R380CEATMA1, 9.9 A, Vds=550 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装晶体管, MOSFET, N沟道, 14.1 A, 500 V, 0.35 ohm, 13 V, 3 VInfineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 73 W - -

漏源极电阻 0.35 Ω 0.35 Ω 350 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 73 W 98 W 98 W

阈值电压 3 V 3 V 2.5 V

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 9.9A 9.9A 9.9A

上升时间 5.6 ns 5.6 ns 5.6 ns

输入电容(Ciss) 584pF @100V(Vds) 584pF @100V(Vds) 584pF @100V(Vds)

下降时间 8.6 ns 8.6 ns 8.6 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 98W (Tc) 98000 mW 73W (Tc)

针脚数 - 3 -

漏源击穿电压 - 500 V 500 V

额定功率(Max) - 98 W 73 W

通道数 - - 1

长度 6.73 mm 6.5 mm 6.5 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.41 mm 2.3 mm 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

REACH SVHC标准 - - No SVHC