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IPD50R380CE

IPD50R380CE

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Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

CoolMOS™ CE 功率 MOSFET


立创商城:
N沟道 550V 14.1A


得捷:
MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252


欧时:
Infineon CoolMOS™ CE 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


贸泽:
MOSFET N-Ch 500V 9.9A DPAK-2


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 9.9A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R


力源芯城:
500V,9.9A,380mOhm,N沟道功率MOSFET


IPD50R380CE中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 350 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 98 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 9.9A

上升时间 5.6 ns

输入电容Ciss 584pF @100VVds

额定功率Max 73 W

下降时间 8.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 73W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IPD50R380CE引脚图与封装图
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在线购买IPD50R380CE
型号 制造商 描述 购买
IPD50R380CE Infineon 英飞凌 Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 搜索库存
替代型号IPD50R380CE
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IPD50R380CE

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-252 N-Channel 500V 9.9A

当前型号

Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

当前型号

型号： IPD50R280CEATMA1

品牌： 英飞凌

封装： REEL N-Channel 550V 13A

类似代替

INFINEON  IPD50R280CEATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.25 ohm, 13 V, 3 V

IPD50R380CE和IPD50R280CEATMA1的区别

型号： IPD50R380CEATMA1

品牌： 英飞凌

封装： TO-252-3 N-Channel 500V 9.9A

类似代替

Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R380CEATMA1, 9.9 A, Vds=550 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

IPD50R380CE和IPD50R380CEATMA1的区别