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IPD50R380CEATMA1

IPD50R380CEATMA1

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Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R380CEATMA1, 9.9 A, Vds=550 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

CoolMOS™ CE 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3


欧时:
Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R380CEATMA1, 9.9 A, Vds=550 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 9.9A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; 73W; PG-TO252-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 9.9A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 9.9 A, 500 V, 0.35 ohm, 13 V, 3 V


IPD50R380CEATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 73 W

漏源极电阻 0.35 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 73 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 9.9A

上升时间 5.6 ns

输入电容Ciss 584pF @100VVds

下降时间 8.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 98W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.41 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Consumer Electronics, Lighting, Lighting, Consumer Electronics, Power Management

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPD50R380CEATMA1引脚图与封装图
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在线购买IPD50R380CEATMA1
型号 制造商 描述 购买
IPD50R380CEATMA1 Infineon 英飞凌 Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R380CEATMA1, 9.9 A, Vds=550 V, 3引脚 DPAK TO-252封装 搜索库存
替代型号IPD50R380CEATMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IPD50R380CEATMA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-252-3 N-Channel 500V 9.9A

当前型号

Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R380CEATMA1, 9.9 A, Vds=550 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

当前型号

型号： IPD50R380CE

品牌： 英飞凌

封装： TO-252 N-Channel 500V 9.9A

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型号： IPD50R380CEAUMA1

品牌： 英飞凌

封装： TO-252-3 N-Channel 500V 9.9A

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晶体管, MOSFET, N沟道, 14.1 A, 500 V, 0.35 ohm, 13 V, 3 V

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