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IPD50R380CEAUMA1

IPD50R380CEAUMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 14.1 A, 500 V, 0.35 ohm, 13 V, 3 V

表面贴装型 N 通道 14.1A(Tc) 98W(Tc) PG-TO252-3


欧时:
MOSFET N-Ch 500V 14A CoolMOS CE TO-252


得捷:
MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3


立创商城:
N沟道 500V 14.1A


贸泽:
MOSFET CONSUMER


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 V, 14.1 A, 0.35 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET NCH 500V 14.1A TO252


IPD50R380CEAUMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.35 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 98 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 9.9A

上升时间 5.6 ns

输入电容Ciss 584pF @100VVds

额定功率Max 98 W

下降时间 8.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 98000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IPD50R380CEAUMA1引脚图与封装图
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在线购买IPD50R380CEAUMA1
型号 制造商 描述 购买
IPD50R380CEAUMA1 Infineon 英飞凌 晶体管, MOSFET, N沟道, 14.1 A, 500 V, 0.35 ohm, 13 V, 3 V 搜索库存
替代型号IPD50R380CEAUMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPD50R380CEAUMA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-252-3 N-Channel 500V 9.9A

当前型号

晶体管, MOSFET, N沟道, 14.1 A, 500 V, 0.35 ohm, 13 V, 3 V

当前型号

型号: IPD50R380CEATMA1

品牌: 英飞凌

封装: TO-252-3 N-Channel 500V 9.9A

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