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CY14MB064Q1B-SXI、N64S830HAS22I、CY14MB064J2-SXI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY14MB064Q1B-SXI N64S830HAS22I CY14MB064J2-SXI

描述 64千位(为8K ×8 ) SPI的nvSRAM 64-Kbit (8 K x 8) SPI nvSRAMRAM,ON Semiconductor串行静态随机存取存储器 (SRAM)。### SRAM(静态随机存取存储器)64千位(为8K ×8 )串行( I2C )的nvSRAM非易失性存储/调用 64-Kbit (8 K x 8) Serial (I2C) nvSRAM Nonvolatile STORE/RECALL

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) ON Semiconductor (安森美) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

频率 - 20 MHz -

电源电压(DC) - 2.50V (min) -

无卤素状态 - Halogen Free -

时钟频率 - 20 MHz -

位数 - 8 -

存取时间 - 25 ns -

内存容量 - 8000 B -

存取时间(Max) - 25 ns 900 ns

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

供电电流 - - 1 mA

耗散功率(Max) - - 1 W

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.5 mm 1.48 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tube Tray Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -