电源电压 2.7V ~ 3.6V
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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CY14MB064Q1B-SXI | Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 64千位(为8K ×8 ) SPI的nvSRAM 64-Kbit 8 K x 8 SPI nvSRAM | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: CY14MB064Q1B-SXI 品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯 封装: SOIC | 当前型号 | 64千位(为8K ×8 ) SPI的nvSRAM 64-Kbit 8 K x 8 SPI nvSRAM | 当前型号 | |
型号: CY14MB064J2-SXI 品牌: 赛普拉斯 封装: SOIC | 完全替代 | 64千位(为8K ×8 )串行( I2C )的nvSRAM非易失性存储/调用 64-Kbit 8 K x 8 Serial I2C nvSRAM Nonvolatile STORE/RECALL | CY14MB064Q1B-SXI和CY14MB064J2-SXI的区别 | |
型号: CY14MB064J2-SXIT 品牌: 赛普拉斯 封装: SOIC | 完全替代 | 64千位(为8K ×8 )串行( I2C )的nvSRAM非易失性存储/调用 64-Kbit 8 K x 8 Serial I2C nvSRAM Nonvolatile STORE/RECALL | CY14MB064Q1B-SXI和CY14MB064J2-SXIT的区别 | |
型号: N64S830HAS22I 品牌: 安森美 封装: SOIC 8000B 2.5V 8Pin | 类似代替 | RAM,ON Semiconductor串行静态随机存取存储器 SRAM。### SRAM(静态随机存取存储器) | CY14MB064Q1B-SXI和N64S830HAS22I的区别 |