
供电电流 1 mA
存取时间Max 900 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1 W
电源电压 2.7V ~ 3.6V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
高度 1.48 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free

CY14MB064J2-SXI引脚图

CY14MB064J2-SXI封装图

CY14MB064J2-SXI封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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CY14MB064J2-SXI | Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 64千位(为8K ×8 )串行( I2C )的nvSRAM非易失性存储/调用 64-Kbit 8 K x 8 Serial I2C nvSRAM Nonvolatile STORE/RECALL | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: CY14MB064J2-SXI 品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯 封装: SOIC | 当前型号 | 64千位(为8K ×8 )串行( I2C )的nvSRAM非易失性存储/调用 64-Kbit 8 K x 8 Serial I2C nvSRAM Nonvolatile STORE/RECALL | 当前型号 | |
型号: CY14MB064Q1B-SXI 品牌: 赛普拉斯 封装: SOIC | 完全替代 | 64千位(为8K ×8 ) SPI的nvSRAM 64-Kbit 8 K x 8 SPI nvSRAM | CY14MB064J2-SXI和CY14MB064Q1B-SXI的区别 | |
型号: CY14MB064J2A-SXI 品牌: 赛普拉斯 封装: SOIC | 完全替代 | 64千位( 8 K A ?? 8 )串行( I2C )的nvSRAM 64-Kbit 8 K Ã 8 Serial I2C nvSRAM | CY14MB064J2-SXI和CY14MB064J2A-SXI的区别 | |
型号: CY14MB064J2-SXIT 品牌: 赛普拉斯 封装: SOIC | 完全替代 | 64千位(为8K ×8 )串行( I2C )的nvSRAM非易失性存储/调用 64-Kbit 8 K x 8 Serial I2C nvSRAM Nonvolatile STORE/RECALL | CY14MB064J2-SXI和CY14MB064J2-SXIT的区别 |