BSP52,115、BC817-25,215、BSP52T3G对比区别

高亮显示差异参数

型号 BSP52,115 BC817-25,215 BSP52T3G

描述 NXP  BSP52,115  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 1.25 W, 1 A, 2000 hFENXP  BC817-25,215  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 500 mA, 160 hFEON SEMICONDUCTOR  BSP52T3G  达林顿晶体管, NPN, 80V, SOT-223

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 4

封装 TO-261-4 SOT-23-3 TO-261-4

频率 - 100 MHz -

针脚数 3 3 4

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1.25 W 250 mW 800 mW

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 45 V 80 V

集电极最大允许电流 1A 0.5A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 2000 @500mA, 10V 160 @100mA, 1V 2000 @500mA, 10V

额定功率(Max) 1.25 W 250 mW 800 mW

直流电流增益(hFE) 2000 160 2000

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1250 mW 250 mW 125 W

额定电压(DC) - - 80.0 V

额定电流 - - 1.00 A

无卤素状态 - - Halogen Free

输出电压 - - 80 V

输出电流 - - 1 A

热阻 - - 156℃/W (RθJA)

输入电压 - - 5 V

增益带宽 200 MHz - -

长度 6.7 mm 3 mm 6.7 mm

宽度 3.7 mm 1.4 mm 3.7 mm

高度 1.7 mm 1 mm 1.75 mm

封装 TO-261-4 SOT-23-3 TO-261-4

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2016/06/20

ECCN代码 - - EAR99