BSP52,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
BSP52,115中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 1.25 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 2000 @500mA, 10V
额定功率Max 1.25 W
直流电流增益hFE 2000
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 1250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-261-4
外形尺寸
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
BSP52,115引脚图与封装图
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在线购买BSP52,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSP52,115 | NXP 恩智浦 | NXP BSP52,115 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 1.25 W, 1 A, 2000 hFE | 搜索库存 |
替代型号BSP52,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSP52,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SC-73 NPN 1250mW | 当前型号 | NXP BSP52,115 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 1.25 W, 1 A, 2000 hFE | 当前型号 |
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