BSP52T3G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 80.0 V
额定电流 1.00 A
无卤素状态 Halogen Free
输出电压 80 V
输出电流 1 A
针脚数 4
极性 NPN
耗散功率 800 mW
击穿电压集电极-发射极 80 V
热阻 156℃/W RθJA
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 2000 @500mA, 10V
额定功率Max 800 mW
直流电流增益hFE 2000
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 125 W
输入电压 5 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
外形尺寸
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.75 mm
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2016/06/20
海关信息
ECCN代码 EAR99
BSP52T3G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BSP52T3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSP52T3G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR BSP52T3G 达林顿晶体管, NPN, 80V, SOT-223 | 搜索库存 |
替代型号BSP52T3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSP52T3G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-223 NPN 80V 1A 1250mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR BSP52T3G 达林顿晶体管, NPN, 80V, SOT-223 | 当前型号 |
| 型号： BSP52T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-223 NPN 80V 1A 1250mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR BSP52T1G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 800 mW, 1 A, 1000 hFE | BSP52T3G和BSP52T1G的区别 |
| 型号： BSP52T1 品牌： 安森美 封装： SOT-223 NPN 80V 1A | 完全替代 | 中功率NPN硅达林顿晶体管表面贴装 MEDIUM POWER NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR SURFACE MOUNT | BSP52T3G和BSP52T1的区别 |
| 型号： BSP52T3 品牌： 安森美 封装： SOT-223 NPN 80V 1A | 完全替代 | NPN小信号达林顿晶体管 NPN Small−Signal Darlington Transistor | BSP52T3G和BSP52T3的区别 |