IRFP254PBF、IRFP4229PBF、IRFP4768PBF对比区别

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型号 IRFP254PBF IRFP4229PBF IRFP4768PBF

描述 N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorINFINEON  IRFP4229PBF  晶体管, MOSFET, HEXFET, N沟道, 44 A, 300 V, 38 mohm, 10 V, 5 VINFINEON  IRFP4768PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 250 V, 0.0145 ohm, 10 V, 5 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.14 Ω 0.038 Ω 0.0145 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 190 W 310 W 520 W

阈值电压 4 V 5 V 5 V

输入电容 2700pF @25V 4560 pF 10880 pF

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V

漏源击穿电压 250 V - -

连续漏极电流(Ids) 23.0 A 44A 93A

上升时间 63 ns 27 ns 160 ns

输入电容(Ciss) 2700pF @25V(Vds) 4560pF @25V(Vds) 10880pF @50V(Vds)

下降时间 50 ns 19 ns 110 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 190 W 310W (Tc) 520W (Tc)

额定功率 - 310 W 520 W

额定功率(Max) - 310 W 520 W

长度 15.87 mm 15.87 mm 15.87 mm

宽度 5.31 mm 5.3 mm 5.31 mm

高度 20.7 mm 20.3 mm 20.7 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

包装方式 Tube Tube Tube

产品生命周期 - Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -