IRFP4229PBF
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
分立器件
IRFP4229PBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 310 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.038 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 310 W
阈值电压 5 V
输入电容 4560 pF
漏源极电压Vds 250 V
连续漏极电流Ids 44A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 4560pF @25VVds
额定功率Max 310 W
下降时间 19 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 310W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 15.87 mm
宽度 5.3 mm
高度 20.3 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 电源管理, Push-Pull, Battery Operated Drive, Full-Bridge, Consumer Electronics, 消费电子产品, Power Management, Consumer Full-Bridge
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
IRFP4229PBF引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IRFP4229PBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFP4229PBF | Infineon 英飞凌 | INFINEON IRFP4229PBF 晶体管, MOSFET, HEXFET, N沟道, 44 A, 300 V, 38 mohm, 10 V, 5 V | 搜索库存 |
替代型号IRFP4229PBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFP4229PBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： REEL N-Channel 250V 44A | 当前型号 | INFINEON IRFP4229PBF 晶体管, MOSFET, HEXFET, N沟道, 44 A, 300 V, 38 mohm, 10 V, 5 V | 当前型号 |
| 型号： IRFP4768PBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-CH 250V 93A | 类似代替 | INFINEON IRFP4768PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 250 V, 0.0145 ohm, 10 V, 5 V | IRFP4229PBF和IRFP4768PBF的区别 |
| 型号： IRFP264PBF 品牌： 威世 封装： TO-247AC N-Channel 250V 38A 75mΩ | 功能相似 | 功率MOSFET Power MOSFET | IRFP4229PBF和IRFP264PBF的区别 |