额定功率 520 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.0145 Ω
极性 N-CH
耗散功率 520 W
阈值电压 5 V
输入电容 10880 pF
漏源极电压Vds 250 V
连续漏极电流Ids 93A
上升时间 160 ns
输入电容Ciss 10880pF @50VVds
额定功率Max 520 W
下降时间 110 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 520W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
高度 20.7 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 电源管理, Push-Pull, Battery Operated Drive, Full-Bridge, Power Management, Consumer Full-Bridge
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRFP4768PBF | Infineon 英飞凌 | INFINEON IRFP4768PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 250 V, 0.0145 ohm, 10 V, 5 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFP4768PBF 品牌: Infineon 英飞凌 封装: REEL N-CH 250V 93A | 当前型号 | INFINEON IRFP4768PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 250 V, 0.0145 ohm, 10 V, 5 V | 当前型号 | |
型号: IRFP4332PBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-CH 250V 57A | 类似代替 | INFINEON IRFP4332PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 57 A, 300 V, 29 mohm, 10 V, 5 V | IRFP4768PBF和IRFP4332PBF的区别 | |
型号: IRFP4229PBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 250V 44A | 类似代替 | INFINEON IRFP4229PBF 晶体管, MOSFET, HEXFET, N沟道, 44 A, 300 V, 38 mohm, 10 V, 5 V | IRFP4768PBF和IRFP4229PBF的区别 | |
型号: IRFP4232PBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-CH 150V 23A | 类似代替 | INFINEON IRFP4232PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 250 V, 0.03 ohm, 10 V, 5 V | IRFP4768PBF和IRFP4232PBF的区别 |