针脚数 3
漏源极电阻 0.14 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 190 W
阈值电压 4 V
输入电容 2700pF @25V
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 250 V
连续漏极电流Ids 23.0 A
上升时间 63 ns
输入电容Ciss 2700pF @25VVds
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 190 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
高度 20.7 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRFP254PBF | Vishay Semiconductor 威世 | N 通道 MOSFET,200V 至 250V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFP254PBF 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: TO-247 N-Channel 250V 23A | 当前型号 | N 通道 MOSFET,200V 至 250V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor | 当前型号 | |
型号: IRFP4229PBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 250V 44A | 功能相似 | INFINEON IRFP4229PBF 晶体管, MOSFET, HEXFET, N沟道, 44 A, 300 V, 38 mohm, 10 V, 5 V | IRFP254PBF和IRFP4229PBF的区别 |