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IRFP254PBF中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.14 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 190 W

阈值电压 4 V

输入电容 2700pF @25V

漏源极电压Vds 250 V

漏源击穿电压 250 V

连续漏极电流Ids 23.0 A

上升时间 63 ns

输入电容Ciss 2700pF @25VVds

下降时间 50 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 190 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.87 mm

宽度 5.31 mm

高度 20.7 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IRFP254PBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRFP254PBF Vishay Semiconductor 威世 N 通道 MOSFET,200V 至 250V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor 搜索库存
替代型号IRFP254PBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRFP254PBF

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: TO-247 N-Channel 250V 23A

当前型号

N 通道 MOSFET,200V 至 250V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

当前型号

型号: IRFP4229PBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 250V 44A

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