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FQP44N10F、IPB47N10SL-26、FQP44N10对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQP44N10F IPB47N10SL-26 FQP44N10

描述 100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFETInfineon SIPMOS® N 通道 MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP44N10  晶体管, MOSFET, N沟道, 43.5 A, 100 V, 0.03 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-220-3

引脚数 - 3 3

漏源极电阻 39.0 mΩ 26 mΩ 0.03 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 146W (Tc) 175 W 146 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V

栅源击穿电压 ±25.0 V - ±25.0 V

连续漏极电流(Ids) 43.5 A 47A 43.5 A

输入电容(Ciss) 1800pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds) 1800pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 146 W - 146 W

耗散功率(Max) 146W (Tc) 175W (Tc) 146W (Tc)

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 43.5 A

通道数 - 1 1

针脚数 - - 3

阈值电压 - - 4 V

上升时间 - 100 ns 190 ns

下降时间 - 70 ns 100 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃

封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-220-3

长度 - 10 mm 10.1 mm

宽度 - 9.25 mm 4.7 mm

高度 - 4.4 mm 9.4 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99