IPB47N10SL-26
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPB47N10SL-26中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 26 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 175 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 47A
上升时间 100 ns
输入电容Ciss 2500pF @25VVds
下降时间 70 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 175W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPB47N10SL-26引脚图与封装图
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在线购买IPB47N10SL-26
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPB47N10SL-26 | Infineon 英飞凌 | Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET | 搜索库存 |
替代型号IPB47N10SL-26
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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