FQP44N10F
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQP44N10F中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 39.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 146W Tc
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 43.5 A
输入电容Ciss 1800pF @25VVds
额定功率Max 146 W
耗散功率Max 146W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQP44N10F引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQP44N10F
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQP44N10F 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 100V 43.5A 39mohms | 当前型号 | 100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FQP44N10 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 100V 43.5A 39mohms | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP44N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 43.5 A, 100 V, 0.03 ohm, 10 V, 4 V | FQP44N10F和FQP44N10的区别 |
| 型号： IPB47N10SL-26 品牌： 英飞凌 封装： TO-263 N-CH 100V 47A | 功能相似 | Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET | FQP44N10F和IPB47N10SL-26的区别 |
| 型号： IPI47N10SL-26 品牌： 英飞凌 封装： I2PAK-3 N-CH 100V 47A | 功能相似 | SIPMOS功率三极管N沟道增强模式的逻辑电平 SIPMOS Power-Transistor N-Channel Enhancement mode Logic Level | FQP44N10F和IPI47N10SL-26的区别 |