FQP44N10
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQP44N10中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 43.5 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.03 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 146 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 43.5 A
上升时间 190 ns
输入电容Ciss 1800pF @25VVds
额定功率Max 146 W
下降时间 100 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 146W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.1 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQP44N10引脚图与封装图
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在线购买FQP44N10
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQP44N10 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP44N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 43.5 A, 100 V, 0.03 ohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
替代型号FQP44N10
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQP44N10 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 100V 43.5A 39mohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP44N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 43.5 A, 100 V, 0.03 ohm, 10 V, 4 V | 当前型号 |
| 型号： FQP44N10F 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 100V 43.5A 39mohms | 类似代替 | 100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET | FQP44N10和FQP44N10F的区别 |
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