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MMUN2131LT1G、MMUN2131LT3、MMUN2132LT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMUN2131LT1G MMUN2131LT3 MMUN2132LT1G

描述 数字晶体管( BRT ) R1 = 2.2千欧, R2 = 2.2 K· Digital Transistors (BRT) R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 kSOT-23 PNP 50V 100mAON SEMICONDUCTOR  MMUN2132LT1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率, SOT-23

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

额定电压(DC) -50.0 V - -50.0 V

额定电流 -100 mA - -100 mA

无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 246 mW - 0.4 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 8 @5mA, 10V - 15 @5mA, 10V

额定功率(Max) 246 mW - 246 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 400 mW - 400 mW

最大电流放大倍数(hFE) 8 - -

长度 2.9 mm - 2.9 mm

宽度 1.3 mm - 1.3 mm

高度 0.94 mm - 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99