MMUN2132LT1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 0.4 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 15 @5mA, 10V
额定功率Max 246 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMUN2132LT1G引脚图与封装图 
MMUN2132LT1G引脚图
MMUN2132LT1G封装焊盘图
在线购买MMUN2132LT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMUN2132LT1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR MMUN2132LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率, SOT-23 | 搜索库存 |
替代型号MMUN2132LT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMUN2132LT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 PNP -50V -100mA 400mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR MMUN2132LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率, SOT-23 | 当前型号 |
| 型号： MMUN2131LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -50V -100mA 400mW | 类似代替 | 数字晶体管（ BRT ） R1 = 2.2千欧， R2 = 2.2 K· Digital Transistors BRT R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k | MMUN2132LT1G和MMUN2131LT1G的区别 |
| 型号： PDTA143TT@215 品牌： 恩智浦 封装： TO-236 PNP | 类似代替 | PDTA143TT@215 | MMUN2132LT1G和PDTA143TT@215的区别 |
| 型号： PDTA143XT@215 品牌： 恩智浦 封装： TO-236 PNP | 类似代替 | PDTA143XT@215 | MMUN2132LT1G和PDTA143XT@215的区别 |