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MMUN2131LT1G

MMUN2131LT1G

数据手册.pdf

数字晶体管( BRT ) R1 = 2.2千欧, R2 = 2.2 K· Digital Transistors BRT R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 TO-236


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP


e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 电阻比率


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 246mW; SOT23; R1:2.2kΩ


Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R


MMUN2131LT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

无卤素状态 Halogen Free

极性 PNP

耗散功率 246 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 8 @5mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 8

额定功率Max 246 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMUN2131LT1G引脚图与封装图
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在线购买MMUN2131LT1G
型号 制造商 描述 购买
MMUN2131LT1G ON Semiconductor 安森美 数字晶体管( BRT ) R1 = 2.2千欧, R2 = 2.2 K· Digital Transistors BRT R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k 搜索库存
替代型号MMUN2131LT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMUN2131LT1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23 PNP -50V -100mA 400mW

当前型号

数字晶体管( BRT ) R1 = 2.2千欧, R2 = 2.2 K· Digital Transistors BRT R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k

当前型号

型号: MMUN2132LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 PNP -50V -100mA 400mW

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型号: MMUN2131LT1

品牌: 安森美

封装: SOT-23-3 PNP 400mW

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型号: MMUN2131LT3

品牌: 安森美

封装:

功能相似

SOT-23 PNP 50V 100mA

MMUN2131LT1G和MMUN2131LT3的区别