TLC27L1BCD、TLC27L1ID、TLC27L1IDR对比区别

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型号 TLC27L1BCD TLC27L1ID TLC27L1IDR

描述 LinCMOSE低功耗运算放大器 LinCMOSE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERSLinCMOSE低功耗运算放大器 LinCMOSE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERSLinCMOS™ 低功耗运算放大器 8-SOIC -40 to 85

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 - ≤30 mA ≤30 mA

供电电流 14 µA 14 µA 14 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

耗散功率 0.725 W 725 mW 725 mW

共模抑制比 65 dB 65dB ~ 94dB 65dB ~ 94dB

输入补偿漂移 1.10 µV/K 1.10 µV/K 1.10 µV/K

带宽 85 kHz 85.0 kHz 85.0 kHz

转换速率 30.0 mV/μs 30.0 mV/μs 30.0 mV/μs

增益频宽积 110 kHz 0.085 MHz 85 kHz

输入补偿电压 260 µV 1.1 mV 1.1 mV

输入偏置电流 0.7 pA 0.7 pA 0.7 pA

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - 40 ℃ 40 ℃

增益带宽 0.085 MHz 0.085 MHz 0.085 MHz

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW 725 mW

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 65 dB

电源电压(Max) 16 V 16 V 16 V

电源电压(Min) 3 V 4 V 4 V

工作电压 3V ~ 16V - -

长度 - 4.9 mm 4.9 mm

宽度 - 3.91 mm 3.91 mm

高度 - 1.58 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free