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TLC27L1IDR

TLC27L1IDR

TI(德州仪器) 电子元器件分类

LinCMOS™ 低功耗运算放大器 8-SOIC -40 to 85

General Purpose Amplifier 1 Circuit 8-SOIC


得捷:
IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
TLC27L1IDR


德州仪器TI:
Single, 16-V, 85-kHz, low power 10-μA/ch, In to V- operational amplifier


贸泽:
Precision Amplifiers LinCMOS Lo-Power Op Amp


艾睿:
OP Amp Single GP 16V 8-Pin SOIC T/R


安富利:
OP Amp Single GP 16V 8-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
Low PowerLinCMOSTM Low-Power Operational Amplifier OP Amp Single GP 16V 8-Pin SOIC T/R


Verical:
OP Amp Single GP 16V 8-Pin SOIC T/R


Win Source:
IC OPAMP GP 110KHZ 8SOIC


TLC27L1IDR中文资料参数规格
技术参数

输出电流 ≤30 mA

供电电流 14 µA

电路数 1

通道数 1

耗散功率 725 mW

共模抑制比 65dB ~ 94dB

输入补偿漂移 1.10 µV/K

带宽 85.0 kHz

转换速率 30.0 mV/μs

增益频宽积 85 kHz

输入补偿电压 1.1 mV

输入偏置电流 0.7 pA

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

增益带宽 0.085 MHz

耗散功率Max 725 mW

共模抑制比Min 65 dB

电源电压Max 16 V

电源电压Min 4 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TLC27L1IDR引脚图与封装图
TLC27L1IDR引脚图

TLC27L1IDR引脚图

TLC27L1IDR封装图

TLC27L1IDR封装图

TLC27L1IDR封装焊盘图

TLC27L1IDR封装焊盘图

在线购买TLC27L1IDR
型号 制造商 描述 购买
TLC27L1IDR TI 德州仪器 LinCMOS™ 低功耗运算放大器 8-SOIC -40 to 85 搜索库存
替代型号TLC27L1IDR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: TLC27L1IDR

品牌: TI 德州仪器

封装: SOIC 8Pin 30mV/us 1Channel

当前型号

LinCMOS™ 低功耗运算放大器 8-SOIC -40 to 85

当前型号

型号: TLC27L1AID

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