BCR135E6327HTSA1、BCR135E6433HTMA1、MMUN2214LT1G对比区别

高亮显示差异参数

型号 BCR135E6327HTSA1 BCR135E6433HTMA1 MMUN2214LT1G

描述 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3Infineon BCR135E6433HTMA1 NPN 数字晶体管, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21, 3引脚 SOT-23封装NPN 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.2 W 200 mW 0.4 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 70 @5mA, 5V 70 @5mA, 5V 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) 200 mW 200 mW 246 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

增益带宽 150 MHz 150 MHz -

耗散功率(Max) 200 mW 200 mW 400 mW

额定功率 - - 246 mW

无卤素状态 - - Halogen Free

最大电流放大倍数(hFE) - - 80

长度 2.9 mm 2.9 mm 2.9 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 0.9 mm 0.9 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃