BCR135E6433HTMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
Infineon BCR135E6433HTMA1 NPN 数字晶体管, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21, 3引脚 SOT-23封装
双电阻器数字，
Infineon 的一系列双极性结点晶体，配有集成电阻器，允许直接从数字来源驱动，无需其他元件。 双电阻器设备具有串行输入电阻器和连接晶体管基座与发射器的电阻器。
得捷:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
欧时:
Infineon BCR135E6433HTMA1 NPN 数字晶体管, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21, 3引脚 SOT-23封装
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 / Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23