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KSP43BU、MPSA43G、MPSA43对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSP43BU MPSA43G MPSA43

描述 NPN 晶体管,高于 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 200V NPN高压晶体管( NPN硅) High Voltage Transistors(NPN Silicon)

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-92-3

频率 50 MHz - -

额定电压(DC) 200 V 200 V 200 V

额定电流 500 mA 500 mA 500 mA

极性 NPN NPN -

耗散功率 0.625 W 625 mW 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) 200 V 200 V 200 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @30mA, 10V 25 @1mA, 10V 25 @1mA, 10V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

长度 4.58 mm 5.2 mm 5.2 mm

宽度 3.86 mm 4.19 mm 4.19 mm

高度 4.58 mm 5.33 mm 5.33 mm

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-92-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Bulk Box Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

ECCN代码 EAR99 EAR99 -