MPSA43G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 200 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 25 @1mA, 10V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Box
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MPSA43G引脚图与封装图
暂无图片
替代型号MPSA43G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPSA43G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 NPN 200V 500mA | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 500mA 200V NPN | 当前型号 |
| 型号： 2N6517TA 品牌： 安森美 封装： TO-92-3 625mW | 类似代替 | ON Semiconductor 2N6517TA , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=350 V, HFE:15, 200 MHz, 3引脚 TO-92封装 | MPSA43G和2N6517TA的区别 |
| 型号： 2N6517BU 品牌： 安森美 封装： TO-92 625mW | 类似代替 | ON Semiconductor 2N6517BU , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=350 V, HFE:15, 200 MHz, 3引脚 TO-92封装 | MPSA43G和2N6517BU的区别 |
| 型号： 2N6517CTA 品牌： 安森美 封装： TO-92-3 | 类似代替 | ON Semiconductor 2N6517CTA , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=400 V, HFE:15, 200 MHz, 3引脚 TO-92封装 | MPSA43G和2N6517CTA的区别 |