频率 50 MHz
额定电压DC 200 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
耗散功率 0.625 W
击穿电压集电极-发射极 200 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 40 @30mA, 10V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 4.58 mm
宽度 3.86 mm
高度 4.58 mm
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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KSP43BU | Fairchild 飞兆/仙童 | NPN 晶体管,高于 100V,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: KSP43BU 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 200V 500mA 625mW | 当前型号 | NPN 晶体管,高于 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 当前型号 | |
型号: MPSA43 品牌: 安森美 封装: TO-92 200V 500mA | 功能相似 | 高压晶体管( NPN硅) High Voltage TransistorsNPN Silicon | KSP43BU和MPSA43的区别 | |
型号: MPSA43G 品牌: 安森美 封装: TO-92 NPN 200V 500mA | 功能相似 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 500mA 200V NPN | KSP43BU和MPSA43G的区别 |