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KSP43BU
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

NPN 晶体管,高于 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

High Voltage Transistor

• Collector-Emitter Voltage: VCEO=KSP42: 300V

                                             KSP43: 200V

• Collector Power Dissipation: PCmax=625mW


欧时:
### 小信号 NPN 晶体管,高于 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


艾睿:
Trans GP BJT NPN 200V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 200V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk


Verical:
Trans GP BJT NPN 200V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk


Win Source:
TRANS NPN 200V 0.5A TO-92


KSP43BU中文资料参数规格
技术参数

频率 50 MHz

额定电压DC 200 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

耗散功率 0.625 W

击穿电压集电极-发射极 200 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 40 @30mA, 10V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 4.58 mm

宽度 3.86 mm

高度 4.58 mm

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

KSP43BU引脚图与封装图
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在线购买KSP43BU
型号 制造商 描述 购买
KSP43BU Fairchild 飞兆/仙童 NPN 晶体管,高于 100V,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 搜索库存
替代型号KSP43BU
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: KSP43BU

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-92 NPN 200V 500mA 625mW

当前型号

NPN 晶体管,高于 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

当前型号

型号: MPSA43

品牌: 安森美

封装: TO-92 200V 500mA

功能相似

高压晶体管( NPN硅) High Voltage TransistorsNPN Silicon

KSP43BU和MPSA43的区别

型号: MPSA43G

品牌: 安森美

封装: TO-92 NPN 200V 500mA

功能相似

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 500mA 200V NPN

KSP43BU和MPSA43G的区别