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BAS19LT1G、BAS19LT3G、BAS19LT1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAS19LT1G BAS19LT3G BAS19LT1

描述 ON SEMICONDUCTOR  BAS19LT1G  二极管 小信号, 单, 120 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mAON Semiconductor### 标准Products with S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.### 二极管和整流器,ON Semiconductor高压开关二极管 High Voltage Switching Diode

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 小信号二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

电容 5 pF - 5.00 pF

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

输出电流 ≤200 mA ≤200 mA ≤200 mA

负载电流 0.2 A - -

针脚数 3 - -

正向电压 1.25 V 1.25V @200mA 1.25V @200mA

极性 Standard Standard Standard

耗散功率 385 mW 300 mW -

热阻 417℃/W (RθJA) 417℃/W (RθJA) 417℃/W (RθJA)

反向恢复时间 50 ns 50 ns 50 ns

正向电流 200 mA 200 mA -

最大正向浪涌电流(Ifsm) 625 mA - -

正向电压(Max) 1.25 V 1.25 V 1.25V @200mA

正向电流(Max) 200 mA 200 mA 0.2 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

工作结温(Max) 150 ℃ - -

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 385 mW

长度 3.04 mm 3.04 mm -

宽度 1.3 mm 1.4 mm -

高度 0.94 mm 1.01 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -