BAS19LT1中文资料参数规格
技术参数
电容 5.00 pF
输出电流 ≤200 mA
正向电压 1.25V @200mA
极性 Standard
热阻 417℃/W RθJA
反向恢复时间 50 ns
正向电压Max 1.25V @200mA
正向电流Max 0.2 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 385 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
BAS19LT1引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BAS19LT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BAS19LT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-236-3 | 当前型号 | 高压开关二极管 High Voltage Switching Diode | 当前型号 |
| 型号： BAS19LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BAS19LT1G 二极管 小信号, 单, 120 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA | BAS19LT1和BAS19LT1G的区别 |
| 型号： BAS19-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-23-3 | 功能相似 | DIODE SWITCH 100V 0.25W1/4W SOT23-3 | BAS19LT1和BAS19-7-F的区别 |
| 型号： BAS19-TP 品牌： 美微科 封装： TO-236-3 | 功能相似 | 二极管 - 通用，功率，开关 200mA 120V | BAS19LT1和BAS19-TP的区别 |