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BAS19LT1G

ON SEMICONDUCTOR  BAS19LT1G  二极管 小信号, 单, 120 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA

标准 120 V 200mA(DC) 表面贴装型 SOT-23-3(TO-236)


得捷:
DIODE GP 120V 200MA SOT23-3


立创商城:
120V 200mA 50ns 开关二极管,高电压,120 V


欧时:
ON Semiconductor, BAS19LT1G


贸泽:
Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA


e络盟:
ON SEMICONDUCTOR  BAS19LT1G.  小信号二极管


艾睿:
Rectifier Diode Small Signal Switching 120V 0.2A 50ns 3-Pin SOT-23 T/R


Allied Electronics:
DIODE SWITCH 200MA 120V SOT23 PKG


安富利:
Diode Small Signal Switching 120V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Diode Switching 120V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Diode: switching; SMD; 120V; 0.2A; SOT23


Verical:
Rectifier Diode Small Signal Switching 120V 0.2A 50ns 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  BAS19LT1G  Small Signal Diode, Switching, Single, 120 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA


罗切斯特:
Diode Small Signal Switching 120V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23


BAS19LT1G中文资料参数规格
技术参数

电容 5 pF

无卤素状态 Halogen Free

输出电流 ≤200 mA

负载电流 0.2 A

针脚数 3

正向电压 1.25 V

极性 Standard

耗散功率 385 mW

热阻 417℃/W RθJA

反向恢复时间 50 ns

正向电流 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 625 mA

正向电压Max 1.25 V

正向电流Max 200 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 150 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BAS19LT1G引脚图与封装图
BAS19LT1G引脚图

BAS19LT1G引脚图

BAS19LT1G封装焊盘图

BAS19LT1G封装焊盘图

在线购买BAS19LT1G
型号 制造商 描述 购买
BAS19LT1G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  BAS19LT1G  二极管 小信号, 单, 120 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BAS19LT1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  BAS19LT1G  二极管 小信号, 单, 120 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA

当前型号

型号: BAS19LT3G

品牌: 安森美

封装: SOT-23

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品牌: 安森美

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封装: SOT-23

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