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FQD2N90、FQD2N90TM、STD3NK90ZT4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD2N90 FQD2N90TM STD3NK90ZT4

描述 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET900V,1.7A,7.2Ω,N沟道增强型功率MOSFETN 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3

引脚数 - 3 3

极性 N-CH N-Channel N-Channel

漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 900 V

连续漏极电流(Ids) 1.7A 1.70 A 3.00 A

额定电压(DC) - 900 V 900 V

额定电流 - 1.70 A 3.00 A

通道数 - 1 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - 7.2 Ω 4.1 Ω

耗散功率 - 2.5 W 90 W

阈值电压 - - 3.75 V

漏源击穿电压 - 900 V 900 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V ±30.0 V

上升时间 - 35 ns 7 ns

输入电容(Ciss) - 500pF @25V(Vds) 590pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W 90 W

下降时间 - 30 ns 18 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 50W (Tc) 90W (Tc)

封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.73 mm 6.6 mm

宽度 - 6.22 mm 6.2 mm

高度 - 2.39 mm 2.4 mm

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99