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STD3NK90ZT4

STD3NK90ZT4

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N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD3NK90ZT4, 3 A, Vds=900 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


立创商城:
N沟道 900V 3A


得捷:
MOSFET N-CH 900V 3A DPAK


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 900 V, 1.5 A, 4.1 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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# STMICROELECTRONICS  STD3NK90ZT4  Power MOSFET, N Channel, 1.5 A, 900 V, 4.1 ohm, 10 V, 3.75 V


儒卓力:
**N-CH 900V 3A 5000mOhm TO252-3 **


DeviceMart:
MOSFET N-CH 900V 3A DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 900V 3A DPAK


STD3NK90ZT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 900 V

额定电流 3.00 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 4.1 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 90 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 900 V

漏源击穿电压 900 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 3.00 A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 590pF @25VVds

额定功率Max 90 W

下降时间 18 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 90W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

STD3NK90ZT4引脚图与封装图
STD3NK90ZT4引脚图

STD3NK90ZT4引脚图

STD3NK90ZT4封装图

STD3NK90ZT4封装图

STD3NK90ZT4封装焊盘图

STD3NK90ZT4封装焊盘图

在线购买STD3NK90ZT4
型号 制造商 描述 购买
STD3NK90ZT4 ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics 搜索库存
替代型号STD3NK90ZT4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STD3NK90ZT4

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-252 N-Channel 900V 3A 4.8ohms

当前型号

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

当前型号

型号： STD2NK90ZT4

品牌： 意法半导体

封装： TO-252 N-Channel 900V 2.1A 6.5Ω

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型号： FQD2N90TM

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-252 N-Channel 900V 1.7A 7.2ohms

功能相似

900V,1.7A,7.2Ω,N沟道增强型功率MOSFET

STD3NK90ZT4和FQD2N90TM的区别

型号： FQD2N90TF

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-252 N-Channel 900V 1.7A 7.2ohms 500pF

功能相似

N沟道 900V 1.7A

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