FQD2N90TM
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQD2N90TM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 900 V
额定电流 1.70 A
通道数 1
漏源极电阻 7.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 900 V
漏源击穿电压 900 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 1.70 A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 500pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 50W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FQD2N90TM引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQD2N90TM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQD2N90TM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 900V 1.7A 7.2ohms | 当前型号 | 900V,1.7A,7.2Ω,N沟道增强型功率MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STD3NK90ZT4 品牌： 意法半导体 封装： TO-252 N-Channel 900V 3A 4.8ohms | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FQD2N90TM和STD3NK90ZT4的区别 |
| 型号： STD2NK90ZT4 品牌： 意法半导体 封装： TO-252 N-Channel 900V 2.1A 6.5Ω | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD2NK90ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.1 A, 900 V, 5 ohm, 10 V, 3.75 V | FQD2N90TM和STD2NK90ZT4的区别 |
| 型号： FQD2N90 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET | FQD2N90TM和FQD2N90的区别 |