FQD2N90
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
电子元器件分类
FQD2N90中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 900 V
连续漏极电流Ids 1.7A
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DPAK
外形尺寸
封装 DPAK
其他
产品生命周期 Unknown
FQD2N90引脚图与封装图
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在线购买FQD2N90
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQD2N90 | Fairchild 飞兆/仙童 | 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FQD2N90
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQD2N90 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： | 当前型号 | 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FQD2N90TM 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 900V 1.7A 7.2ohms | 功能相似 | 900V,1.7A,7.2Ω,N沟道增强型功率MOSFET | FQD2N90和FQD2N90TM的区别 |
| 型号： FQD2N90TF 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 900V 1.7A 7.2ohms 500pF | 功能相似 | N沟道 900V 1.7A | FQD2N90和FQD2N90TF的区别 |