BSV52,215、BSV52LT1G、NSS12201LT1G对比区别

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型号 BSV52,215 BSV52LT1G NSS12201LT1G

描述 NXP  BSV52,215  单晶体管 双极, 开关, NPN, 12 V, 500 MHz, 250 mW, 100 mA, 40 hFEON SEMICONDUCTOR  BSV52LT1G  单晶体管 双极, NPN, 12 V, 400 MHz, 225 mW, 100 mA, 25 hFEON SEMICONDUCTOR  NSS12201LT1G  双极性晶体管, NPN, 12V SOT-23

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 500 MHz 400 MHz 150 MHz

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 250 mW 225 mW 540 mW

击穿电压(集电极-发射极) 12 V 12 V 12 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 2A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @10mA, 1V 40 @10mA, 1V 200 @500mA, 2V

最大电流放大倍数(hFE) 25 @1mA, 1V - -

额定功率(Max) 250 mW 225 mW 460 mW

直流电流增益(hFE) 40 25 200

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 250 mW 300 mW 540 mW

无卤素状态 - - Halogen Free

增益频宽积 - 400 MHz 150 MHz

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) - 12.0 V -

额定电流 - 200 mA -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - 3.04 mm 2.9 mm

宽度 - 2.64 mm 1.3 mm

高度 - 1.11 mm 0.94 mm

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99