SIHF22N60E-E3、SPA20N60C3XKSA1、SIHF22N60E-GE3对比区别
型号 SIHF22N60E-E3 SPA20N60C3XKSA1 SIHF22N60E-GE3
描述 VISHAY SIHF22N60E-E3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 VINFINEON SPA20N60C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 0.16 ohm, 10 V, 3 VVISHAY SIHF22N60E-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)
分类 中高压MOS管中高压MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.15 Ω 0.16 Ω 0.15 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 227 W 34.5 W 35 W
阈值电压 2 V 3 V 2 V
漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V
输入电容(Ciss) 1920pF @100V(Vds) 2400pF @25V(Vds) -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 35 W 34.5W (Tc) -
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - - 600 V
上升时间 - 5 ns 27 ns
下降时间 - 4.5 ns 35 ns
连续漏极电流(Ids) - 20.7A -
额定功率(Max) - 34.5 W -
长度 10.63 mm 10.65 mm -
宽度 4.83 mm 4.85 mm -
高度 16.12 mm 16.15 mm -
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
包装方式 - Tube Tube
产品生命周期 - Not Recommended for New Designs -