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SPA20N60C3XKSA1

SPA20N60C3XKSA1

数据手册.pdf

INFINEON  SPA20N60C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 0.16 ohm, 10 V, 3 V

通孔 N 通道 20.7A（Tc） 34.5W（Tc） PG-TO220-3-31 整包


欧时:
MOSFET N-Ch 650V 20A CoolMOS TO-220FP


立创商城:
SPA20N60C3XKSA1


得捷:
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-31


贸泽:
MOSFET HIGH POWER_LEGACY


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 650 V, 20.7 A, 0.16 ohm, TO-220AB, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Newark:
Power MOSFET, N Channel, 20.7 A, 650 V, 0.16 ohm, 10 V, 3 V


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3


SPA20N60C3XKSA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.16 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 34.5 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 20.7A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 2400pF @25VVds

额定功率Max 34.5 W

下降时间 4.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 34.5W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.85 mm

高度 16.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

制造应用 Computers & Computer Peripherals, Communications & Networking, Consumer Electronics, Power Man, Computers & Computer Peripherals, 电源管理, Consumer Electronics

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SPA20N60C3XKSA1引脚图与封装图
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在线购买SPA20N60C3XKSA1
型号 制造商 描述 购买
SPA20N60C3XKSA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  SPA20N60C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 0.16 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号SPA20N60C3XKSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： SPA20N60C3XKSA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： REEL N-Channel 600V 20.7A

当前型号

INFINEON  SPA20N60C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 0.16 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号： SIHF22N60E-GE3

品牌： 威世

封装： TO-220FP N-Channel

功能相似

VISHAY  SIHF22N60E-GE3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 V

SPA20N60C3XKSA1和SIHF22N60E-GE3的区别

型号： SIHA22N60E-E3

品牌： 威世

封装： TO-220F N-Channel

功能相似

VISHAY  SIHA22N60E-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 21A, TO-220F

SPA20N60C3XKSA1和SIHA22N60E-E3的区别