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SIHF22N60E-E3

SIHF22N60E-E3

数据手册.pdf

VISHAY  SIHF22N60E-E3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 V

The is a 650V N-channel enhancement-mode Power MOSFET with single configuration. It is suitable for SMPS, server, telecom and PFC power supplies, solar, motor drives, induction heating, renewable energy and welding applications.

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Low figure-of-meritFOM RON x Qg
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Low input capacitance CISS
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Reduced switching and conduction losses
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Ultra low gate charge
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Avalanche energy rated
SIHF22N60E-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.15 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 227 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 600 V

输入电容Ciss 1920pF @100VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 35 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10.63 mm

宽度 4.83 mm

高度 16.12 mm

封装 TO-220

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SIHF22N60E-E3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SIHF22N60E-E3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SIHF22N60E-E3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 V 搜索库存
替代型号SIHF22N60E-E3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： SIHF22N60E-E3

品牌： Vishay Semiconductor 威世

封装： TO-220FP N-Channel

当前型号

VISHAY  SIHF22N60E-E3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 V

当前型号

型号： SPA20N60C3XKSA1

品牌： 英飞凌

封装： REEL N-Channel 600V 20.7A

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SIHF22N60E-E3和SPA20N60C3XKSA1的区别

型号： SIHF22N60E-GE3

品牌： 威世

封装： TO-220FP N-Channel

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SIHF22N60E-E3和SIHF22N60E-GE3的区别