通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.15 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 35 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
上升时间 27 ns
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, Lighting, Alternative Energy, Motor Drive & Control, Portable Devices, Computers & Computer Peripherals, Communications & Networking, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIHF22N60E-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIHF22N60E-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 V | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SIHF22N60E-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TO-220FP N-Channel | 当前型号 | VISHAY SIHF22N60E-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 V | 当前型号 |
| 型号： SPA20N60C3 品牌： 英飞凌 封装： TO220-3 N-Channel 650V 20.7A 2.4nF | 功能相似 | INFINEON SPA20N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 0.16 ohm, 10 V, 3 V | SIHF22N60E-GE3和SPA20N60C3的区别 |
| 型号： SPA20N60C3XKSA1 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 600V 20.7A | 功能相似 | INFINEON SPA20N60C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 0.16 ohm, 10 V, 3 V | SIHF22N60E-GE3和SPA20N60C3XKSA1的区别 |
| 型号： SIHF22N60E-E3 品牌： 威世 封装： TO-220FP N-Channel | 功能相似 | VISHAY SIHF22N60E-E3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 V | SIHF22N60E-GE3和SIHF22N60E-E3的区别 |
