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TLV2342ID、TLV2342IDR、TLV2342IDRG4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2342ID TLV2342IDR TLV2342IDRG4

描述 LinCMOSE低电压高速运算放大器 LinCMOSE LOW-VOLTAGE HIGH-SPEED OPERATIONAL AMPLIFIERSOP Amp Dual GP 8V 8Pin SOIC T/R运算放大器 - 运放 Dual LinCMOS Lo-Vltg High-Speed

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 - ≤30 mA ≤30 mA

供电电流 1.4 mA 1.4 mA 1.4 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 725 mW 0.725 W 0.725 W

共模抑制比 65 dB 65dB ~ 80dB 65 dB

输入补偿漂移 2.70 µV/K 2.70 µV/K 2.70 µV/K

带宽 790 kHz 790 kHz 790 kHz

转换速率 3.60 V/μs 3.60 V/μs 3.60 V/μs

增益频宽积 1.7 MHz 1.7 MHz 1.7 MHz

输入补偿电压 1.1 mV 1.1 mV 1.1 mV

输入偏置电流 0.6 pA 0.6 pA 0.6 pA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ -40 ℃

增益带宽 1.7 MHz 1.7 MHz -

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW 725 mW

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 65 dB

电源电压(Max) - 8 V -

电源电压(Min) - 2 V -

长度 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm

宽度 3.91 mm 3.91 mm 3.91 mm

高度 1.58 mm 1.58 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free