TLV2342IDRG4
TI(德州仪器)
电子元器件分类
TLV2342IDRG4中文资料参数规格
技术参数
输出电流 ≤30 mA
供电电流 1.4 mA
电路数 2
通道数 2
耗散功率 0.725 W
共模抑制比 65 dB
输入补偿漂移 2.70 µV/K
带宽 790 kHz
转换速率 3.60 V/μs
增益频宽积 1.7 MHz
输入补偿电压 1.1 mV
输入偏置电流 0.6 pA
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 725 mW
共模抑制比Min 65 dB
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.91 mm
高度 1.58 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TLV2342IDRG4引脚图与封装图 
TLV2342IDRG4引脚图
TLV2342IDRG4封装图
TLV2342IDRG4封装焊盘图
在线购买TLV2342IDRG4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TLV2342IDRG4 | TI 德州仪器 | 运算放大器 - 运放 Dual LinCMOS Lo-Vltg High-Speed | 搜索库存 |
替代型号TLV2342IDRG4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TLV2342IDRG4 品牌： TI 德州仪器 封装： SOIC 8Pin 3.6V/us 2Channel | 当前型号 | 运算放大器 - 运放 Dual LinCMOS Lo-Vltg High-Speed | 当前型号 |
| 型号： TLV2342ID 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 8Pin 3.6V/us 2Channel | 类似代替 | LinCMOSE低电压高速运算放大器 LinCMOSE LOW-VOLTAGE HIGH-SPEED OPERATIONAL AMPLIFIERS | TLV2342IDRG4和TLV2342ID的区别 |