TLV2342IDR
TI(德州仪器)
主动器件
TLV2342IDR中文资料参数规格
技术参数
输出电流 ≤30 mA
供电电流 1.4 mA
电路数 2
通道数 2
耗散功率 0.725 W
共模抑制比 65dB ~ 80dB
输入补偿漂移 2.70 µV/K
带宽 790 kHz
转换速率 3.60 V/μs
增益频宽积 1.7 MHz
输入补偿电压 1.1 mV
输入偏置电流 0.6 pA
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
增益带宽 1.7 MHz
耗散功率Max 725 mW
共模抑制比Min 65 dB
电源电压Max 8 V
电源电压Min 2 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.91 mm
高度 1.58 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TLV2342IDR引脚图与封装图 
TLV2342IDR引脚图
TLV2342IDR封装图
TLV2342IDR封装焊盘图
在线购买TLV2342IDR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TLV2342IDR | TI 德州仪器 | OP Amp Dual GP 8V 8Pin SOIC T/R | 搜索库存 |
替代型号TLV2342IDR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TLV2342IDR 品牌： TI 德州仪器 封装： SOIC 320kHz 2Channel 8Pin | 当前型号 | OP Amp Dual GP 8V 8Pin SOIC T/R | 当前型号 |
| 型号： TLV2342ID 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 8Pin 3.6V/us 2Channel | 类似代替 | LinCMOSE低电压高速运算放大器 LinCMOSE LOW-VOLTAGE HIGH-SPEED OPERATIONAL AMPLIFIERS | TLV2342IDR和TLV2342ID的区别 |