FDC636P、FDC655BN、NTUD3169CZT5G对比区别

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型号 FDC636P FDC655BN NTUD3169CZT5G

描述 P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC655BN  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 VON SEMICONDUCTOR  NTUD3169CZT5G.  场效应管, MOSFET, N+P沟道, 20V, SOT-963

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 负载控制器MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 SOT-963-6

额定电压(DC) -20.0 V 30.0 V -

额定电流 -2.80 A 6.30 A -

输出接口数 1 - -

漏源极电阻 130 mΩ 0.021 Ω 0.75 Ω

极性 P-Channel N-Channel N-Channel, P-Channel

耗散功率 1.6 W 1.6 W 125 mW

输入电容 390 pF 570 pF -

栅电荷 6.00 nC 10.0 nC -

漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 20 V

漏源击穿电压 -20.0 V 30.0 V -

栅源击穿电压 ±8.00 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) -2.80 A 6.30 A 280 mA

上升时间 26 ns 4 ns -

输入电容(Ciss) 390pF @10V(Vds) 570pF @15V(Vds) 12.5pF @15V(Vds)

下降时间 26 ns 3 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.6W (Ta) 1.6 W 200 mW

通道数 - - 2

针脚数 - 6 6

阈值电压 - 1.9 V 1 V

额定功率(Max) - 800 mW 125 mW

长度 2.9 mm 3 mm 1.05 mm

宽度 1.6 mm 1.7 mm 0.85 mm

高度 1.1 mm 1 mm 0.4 mm

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 SOT-963-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99