FDC655BN
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDC655BN中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 6.30 A
针脚数 6
漏源极电阻 0.021 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.6 W
阈值电压 1.9 V
输入电容 570 pF
栅电荷 10.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 6.30 A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 570pF @15VVds
额定功率Max 800 mW
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.6 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 TSOT-23-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDC655BN引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDC655BN
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDC655BN | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC655BN 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V | 搜索库存 |
替代型号FDC655BN
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDC655BN 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SSOT N-Channel 30V 6.3A 25mohms 570pF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC655BN 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V | 当前型号 |
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