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MMBFJ177LT1、MMBFJ177LT1G、MMBFJ177对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBFJ177LT1 MMBFJ177LT1G MMBFJ177

描述 JFET砍刀P沟道 - 耗尽 JFET Chopper P-Channel - DepletionON SEMICONDUCTOR  MMBFJ177LT1G  晶体管, JFET, JFET, 30 V, -1.5 mA, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, JFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBFJ177  晶体管, JFET, JFET, 30 V, -1.5 mA, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, JFET

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) -25.0 V -25.0 V -30.0 V

额定电流 -20.0 mA -20.0 mA 20.0 mA

击穿电压 - 30.0 V 30.0 V

漏源极电阻 300 Ω 300 Ω 300 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 - 225 mW 225 mW

漏源极电压(Vds) 25.0 V 25.0 V 30.0 V

栅源击穿电压 30.0 V 30 V 30.0 V

连续漏极电流(Ids) - 20.0 mA 10.8 mA

击穿电压 30 V 30 V 30 V

额定功率(Max) 225 mW 225 mW 225 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

输入电容(Ciss) 11pF @10V(Vgs) 11pF @10V(Vgs) -

额定功率 - 225 mW -

无卤素状态 - Halogen Free -

输入电容 - 11.0 pF -

耗散功率(Max) - 225 mW -

长度 - 3.04 mm 2.92 mm

宽度 - 1.4 mm 1.3 mm

高度 - 1.01 mm 0.93 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99