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MMBFJ177
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBFJ177  晶体管, JFET, JFET, 30 V, -1.5 mA, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, JFET

The is a N-channel JFET designed for low level analogue switching, sample and hold circuits and chopper stabilized amplifiers.

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-30V Drain-gate voltage
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30V Gate-source voltage
.
50mA Forward gate current

得捷:
JFET P-CH 30V SOT23-3


欧时:
### P 通道 JFET,Fairchild Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBFJ177  晶体管, JFET, JFET, 30 V, -1.5 mA, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, JFET


艾睿:
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R


Jameco:
Trans JFET P Channel 3-Pin SOT-23 Tape and Reel


富昌:
MMBFJ177系列 30 V 20 mA 表面贴装 P沟道 开关 - SOT-23


Chip1Stop:
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: P-JFET; unipolar; 225mW; SOT23; 50mA


Verical:
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBFJ177  JFET Transistor, Junction Field Effect, 30 V, -1.5 mA, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, JFET


Win Source:
JFET P-CH 30V 0.225W SOT23


MMBFJ177中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 20.0 mA

击穿电压 30.0 V

漏源极电阻 300 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 225 mW

漏源极电压Vds 30.0 V

栅源击穿电压 30.0 V

连续漏极电流Ids 10.8 mA

击穿电压 30 V

额定功率Max 225 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBFJ177引脚图与封装图
MMBFJ177引脚图

MMBFJ177引脚图

MMBFJ177封装焊盘图

MMBFJ177封装焊盘图

在线购买MMBFJ177
型号 制造商 描述 购买
MMBFJ177 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBFJ177  晶体管, JFET, JFET, 30 V, -1.5 mA, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, JFET 搜索库存
替代型号MMBFJ177
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMBFJ177

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOT-23 P-Channel -30V 20mA 300ohms 225mW

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBFJ177  晶体管, JFET, JFET, 30 V, -1.5 mA, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, JFET

当前型号

型号: PMBFJ177@215

品牌: 恩智浦

封装: TO-236

类似代替

PMBFJ177@215

MMBFJ177和PMBFJ177@215的区别

型号: MMBFJ177LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 P-Channel -25V -20mA 225mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MMBFJ177LT1G  晶体管, JFET, JFET, 30 V, -1.5 mA, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, JFET

MMBFJ177和MMBFJ177LT1G的区别

型号: PMBFJ177,215

品牌: 恩智浦

封装: TO-236-3 300mW

功能相似

P 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

MMBFJ177和PMBFJ177,215的区别